简单记录一下常见的驱动方式的异同点，以及部分参数的计算。

几种驱动方式

1.直接驱动

image-图片来源于21ic电子网

这种驱动方式需要注意：

①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。

②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。

案例：使用MCU直接驱动MOS管IRLR7843(导通电压4.5V),外部供电VCC 24V.

image-20231011141820922

image-20231011141523153

image-20231011141609289

特点非常明显，驱动简单，导通电压低，只需要简单的几个器件就可以驱动较大大功率外设。

image-20231011142020771

缺点也很明显，直驱有风险，选择需谨慎，功能实现可以这样玩，低速PWM运行的时候是没有太大压力的。但是到了较高速度的运行场景，这种方式就显得捉襟见肘了。

2.推挽驱动

单片机以及电机驱动经常用到的电路

image-20231011142218097

这种驱动电路好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

例如单单片机的输出控制单元：

image-20231011142346661

3.加速关断驱动

image-20231011142440401

MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。

为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

4.奇淫技巧

image-20231011143356704

用三极管来泄放栅源极间电容电压，Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。

4.隔离驱动

image-20231011143652536

其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。

另外变压器也可以作隔离作用，副边烧毁的时候，原边也可以相安无事。

案例：驱动大功率设备使用

image-20231011143748187

未完待续…………